C3M0065100J
型號:
C3M0065100J
製造商:
Cree
描述:
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
13109 Pieces
數據表:
C3M0065100J.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3.5V @ 5mA
Vgs(最大):+15V, -4V
技術:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
供應商設備封裝:D2PAK-7
系列:C3M™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:78 mOhm @ 20A, 15V
功率耗散(最大):113.5W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:C3M0065100J
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:660pF @ 600V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:35nC @ 15V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):15V
漏極至源極電壓(Vdss):1000V (1kV)
描述:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
電流 - 25°C連續排水(Id):35A (Tc)
Email:[email protected]

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