購買 C3M0065100J與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 5mA |
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Vgs(最大): | +15V, -4V |
技術: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
供應商設備封裝: | D2PAK-7 |
系列: | C3M™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
功率耗散(最大): | 113.5W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | C3M0065100J |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 660pF @ 600V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 35nC @ 15V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 15V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V (1kV) |
描述: | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |