購買 C3M0065090D與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.1V @ 5mA |
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Vgs(最大): | +18V, -8V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝: | TO-247-3 |
系列: | C3M™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
功率耗散(最大): | 125W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-247-3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | C3M0065090D |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 660pF @ 600V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 30.4nC @ 15V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 900V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 15V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 900V |
描述: | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 36A (Tc) |
Email: | [email protected] |