購買 C3M0065090J-TR與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.1V @ 5mA |
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技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝: | D2PAK (7-Lead) |
系列: | C3M™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
功率耗散(最大): | 113W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造商零件編號: | C3M0065090J-TR |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 660pF @ 600V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 30nC @ 15V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 900V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 900V |
描述: | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |