FQD17N08LTM
FQD17N08LTM
型號:
FQD17N08LTM
製造商:
Fairchild/ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12692 Pieces
數據表:
1.FQD17N08LTM.pdf2.FQD17N08LTM.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-252, (D-Pak)
系列:QFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:100 mOhm @ 6.45A, 10V
功率耗散(最大):2.5W (Ta), 40W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:FQD17N08LTM-ND
FQD17N08LTMTR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:6 Weeks
製造商零件編號:FQD17N08LTM
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:520pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:11.5nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 80V 12.9A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):80V
描述:MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):12.9A (Tc)
Email:[email protected]

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