購買 SI3588DV-T1-E3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 450mV @ 250µA (Min) |
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供應商設備封裝: | 6-TSOP |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 80 mOhm @ 3A, 4.5V |
功率 - 最大: | 830mW, 83mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
其他名稱: | SI3588DV-T1-E3TR SI3588DVT1E3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI3588DV-T1-E3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
FET型: | N and P-Channel |
FET特點: | Logic Level Gate |
展開說明: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
描述: | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 2.5A, 570mA |
Email: | [email protected] |