SI3585CDV-T1-GE3
SI3585CDV-T1-GE3
型號:
SI3585CDV-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15844 Pieces
數據表:
SI3585CDV-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1.5V @ 250µA
供應商設備封裝:6-TSOP
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:58 mOhm @ 2.5A, 4.5V
功率 - 最大:1.4W, 1.3W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
其他名稱:SI3585CDV-T1-GE3-ND
SI3585CDV-T1-GE3TR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
製造商零件編號:SI3585CDV-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:150pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:4.8nC @ 10V
FET型:N and P-Channel
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP
漏極至源極電壓(Vdss):20V
描述:MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
電流 - 25°C連續排水(Id):3.9A, 2.1A
Email:[email protected]

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