購買 EPC2110ENGRT與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 700µA |
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供應商設備封裝: | Die |
系列: | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 60 mOhm @ 4A, 5V |
功率 - 最大: | - |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | Die |
其他名稱: | 917-EPC2110ENGRTR EPC2110ENGR |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | EPC2110ENGRT |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 80pF @ 60V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 0.8nC @ 5V |
FET型: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
FET特點: | GaNFET (Gallium Nitride) |
展開說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die |
漏極至源極電壓(Vdss): | 120V |
描述: | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 3.4A |
Email: | [email protected] |