購買 EPC2108ENGRT與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 200µA |
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供應商設備封裝: | Die |
系列: | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 190 mOhm @ 2.5A, 5V |
功率 - 最大: | - |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | Die |
其他名稱: | 917-EPC2108ENGRTR |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | EPC2108ENGRT |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 22pF @ 30V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 0.22nC @ 5V |
FET型: | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET特點: | GaNFET (Gallium Nitride) |
展開說明: | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount Die |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V, 100V |
描述: | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 1.7A, 500mA |
Email: | [email protected] |