EPC2107ENGRT - EPC - 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 100µA
供應商設備封裝:	Die
系列:	eGaN®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	320 mOhm @ 2A, 5V
功率 - 最大:	-
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	Die
其他名稱:	917-EPC2107ENGRTR
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	EPC2107ENGRT
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	16pF @ 50V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	0.16nC @ 5V
FET型:	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET特點:	GaNFET (Gallium Nitride)
展開說明:	Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount Die
漏極至源極電壓（Vdss）:	100V
描述:	TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
電流 - 25°C連續排水（Id）:	1.7A, 500mA
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
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