EPC2101ENG - EPC - 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 EPC2101ENG

EPC2101ENG

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 2mA
供應商設備封裝:	Die
系列:	eGaN®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	11.5 mOhm @ 20A, 5V
功率 - 最大:	-
封装:	Tray
封裝/箱體:	Die
其他名稱:	917-EPC2101ENG EPC2101ENGR_H5 EPC2101ENGRH5
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	EPC2101ENG
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	300pF @ 30V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	2.7nC @ 5V
FET型:	2 N-Channel (Half Bridge)
FET特點:	GaNFET (Gallium Nitride)
展開說明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
漏極至源極電壓（Vdss）:	60V
描述:	TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
電流 - 25°C連續排水（Id）:	9.5A, 38A
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
EPC2105ENGRT	EPC	MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE	在線詢價
EPC2106ENGRT	EPC	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2102ENGRT	EPC	MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE	在線詢價
EPC2110ENGRT	EPC	TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2100ENGRT	EPC	MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE	在線詢價
EPC2103ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2108ENGRT	EPC	TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE	在線詢價
EPC2102ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2101ENGRT	EPC	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	在線詢價
EPC2103ENGRT	EPC	TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V	在線詢價
EPC2104ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2100ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2105ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2107ENGRT	EPC	TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2104ENGRT	EPC	MOSFET 2NCH 100V 23A DIE	在線詢價