BSO615C G
BSO615C G
型號:
BSO615C G
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15054 Pieces
數據表:
BSO615C G.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2V @ 20µA
供應商設備封裝:PG-DSO-8
系列:SIPMOS®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:110 mOhm @ 3.1A, 10V
功率 - 最大:2W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名稱:BSO615C
BSO615C G-ND
BSO615CG
BSO615CGHUMA1
BSO615CGT
BSO615CGXT
BSO615CINTR
SP000216311
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):3 (168 Hours)
製造商標準交貨期:12 Weeks
製造商零件編號:BSO615C G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:380pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:22.5nC @ 10V
FET型:N and P-Channel
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
電流 - 25°C連續排水(Id):3.1A, 2A
Email:[email protected]

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