購買 BSO615C G與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2V @ 20µA |
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供應商設備封裝: | PG-DSO-8 |
系列: | SIPMOS® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
功率 - 最大: | 2W |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱: | BSO615C BSO615C G-ND BSO615CG BSO615CGHUMA1 BSO615CGT BSO615CGXT BSO615CINTR SP000216311 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
製造商零件編號: | BSO615C G |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 380pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 22.5nC @ 10V |
FET型: | N and P-Channel |
FET特點: | Logic Level Gate |
展開說明: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
描述: | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 3.1A, 2A |
Email: | [email protected] |