SI7842DP-T1-GE3
SI7842DP-T1-GE3
型號:
SI7842DP-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17295 Pieces
數據表:
SI7842DP-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2.4V @ 250µA
供應商設備封裝:PowerPAK® SO-8 Dual
系列:LITTLE FOOT®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:22 mOhm @ 7.5A, 10V
功率 - 最大:1.4W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:PowerPAK® SO-8 Dual
其他名稱:SI7842DP-T1-GE3TR
SI7842DPT1GE3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:SI7842DP-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:-
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:20nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
漏極至源極電壓(Vdss):30V
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
電流 - 25°C連續排水(Id):6.3A
Email:[email protected]

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