TK33S10N1Z,LQ
型號:
TK33S10N1Z,LQ
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15084 Pieces
數據表:
TK33S10N1Z,LQ.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 500µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:DPAK+
系列:U-MOSVIII-H
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
功率耗散(最大):125W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:TK33S10N1Z,LQ(O
TK33S10N1ZLQTR
工作溫度:175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
製造商零件編號:TK33S10N1Z,LQ
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2050pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:28nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 100V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
描述:MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):33A (Ta)
Email:[email protected]

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