購買 TK33S10N1Z,LQ與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 500µA |
---|---|
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DPAK+ |
系列: | U-MOSVIII-H |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 9.7 mOhm @ 16.5A, 10V |
功率耗散(最大): | 125W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1ZLQTR |
工作溫度: | 175°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 16 Weeks |
製造商零件編號: | TK33S10N1Z,LQ |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2050pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 28nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 100V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
描述: | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 33A (Ta) |
Email: | [email protected] |