IRFS31N20DTRLP - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRFS31N20DTRLP

IRFS31N20DTRLP

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	5.5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±30V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	D2PAK
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	82 mOhm @ 18A, 10V
功率耗散（最大）:	3.1W (Ta), 200W (Tc)
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:	IRFS31N20DTRLPDKR
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	14 Weeks
製造商零件編號:	IRFS31N20DTRLP
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	2370pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	107nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	200V
描述:	MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:	31A (Tc)
Email:	[email protected]