IRFHS9301TR2PBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRFHS9301TR2PBF

IRFHS9301TR2PBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.4V @ 25µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	6-PQFN (2x2)
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	37 mOhm @ 7.8A, 10V
功率耗散（最大）:	2.1W (Ta)
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	6-PowerVDFN
其他名稱:	IRFHS9301TR2PBFDKR
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IRFHS9301TR2PBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	580pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	13nC @ 10V
FET型:	P-Channel
FET特點:	-
展開說明:	P-Channel 30V 6A (Ta), 13A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
電流 - 25°C連續排水（Id）:	6A (Ta), 13A (Tc)
Email:	[email protected]