購買 TK31V60W5,LVQ與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4.5V @ 1.5mA |
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Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 4-DFN-EP (8x8) |
系列: | DTMOSIV |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 109 mOhm @ 15.4A, 10V |
功率耗散(最大): | 240W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 4-VSFN Exposed Pad |
其他名稱: | TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5LVQTR |
工作溫度: | 150°C (TA) |
安裝類型: | Surface Mount |
製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
製造商零件編號: | TK31V60W5,LVQ |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3000pF @ 300V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 105nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
描述: | MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 30.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |