FDD86102LZ
FDD86102LZ
型號:
FDD86102LZ
製造商:
Fairchild/ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12630 Pieces
數據表:
FDD86102LZ.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-252, (D-Pak)
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:22.5 mOhm @ 8A, 10V
功率耗散(最大):3.1W (Ta), 54W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:FDD86102LZ-ND
FDD86102LZFSTR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:12 Weeks
製造商零件編號:FDD86102LZ
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1540pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:26nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 100V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
描述:MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):8A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

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