SI7964DP-T1-GE3
SI7964DP-T1-GE3
型號:
SI7964DP-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17919 Pieces
數據表:
SI7964DP-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4.5V @ 250µA
供應商設備封裝:PowerPAK® SO-8 Dual
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:23 mOhm @ 9.6A, 10V
功率 - 最大:1.4W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:PowerPAK® SO-8 Dual
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:SI7964DP-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:-
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:65nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Standard
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
電流 - 25°C連續排水(Id):6.1A
Email:[email protected]

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