購買 SI7960DP-T1-GE3與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 3V @ 250µA |
---|---|
供應商設備封裝: | PowerPAK® SO-8 Dual |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 21 mOhm @ 9.7A, 10V |
功率 - 最大: | 1.4W |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | PowerPAK® SO-8 Dual |
其他名稱: | SI7960DP-T1-GE3TR SI7960DPT1GE3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI7960DP-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 75nC @ 10V |
FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點: | Logic Level Gate |
展開說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
描述: | MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 6.2A |
Email: | [email protected] |