CSD85312Q3E
型號:
CSD85312Q3E
製造商:
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
18673 Pieces
數據表:
CSD85312Q3E.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1.4V @ 250µA
供應商設備封裝:8-VSON (3.3x3.3)
系列:NexFET™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:12.4 mOhm @ 10A, 8V
功率 - 最大:2.5W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerVDFN
其他名稱:CSD85312Q3E-ND
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:6 Weeks
製造商零件編號:CSD85312Q3E
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2390pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:15.2nC @ 4.5V
FET型:2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特點:Logic Level Gate, 5V Drive
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
漏極至源極電壓(Vdss):20V
描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
電流 - 25°C連續排水(Id):39A
Email:[email protected]

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