購買 IRF6604TR1與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.1V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DIRECTFET™ MQ |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 11.5 mOhm @ 12A, 7V |
功率耗散(最大): | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | DirectFET™ Isometric MQ |
其他名稱: | SP001525412 |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造商零件編號: | IRF6604TR1 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2270pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 30V 12A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
描述: | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 12A (Ta), 49A (Tc) |
Email: | [email protected] |