購買 IRF6601與BYCHPS
購買即有保證
| VGS(TH)(最大)@標識: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | DIRECTFET™ MT |
| 系列: | HEXFET® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3.8 mOhm @ 26A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | DirectFET™ Isometric MT |
| 其他名稱: | IRF6601TR |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 3 (168 Hours) |
| 製造商零件編號: | IRF6601 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3440pF @ 15V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 45nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 20V 26A (Ta), 85A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 描述: | MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 26A (Ta), 85A (Tc) |
| Email: | [email protected] |