購買 IRF6601與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.2V @ 250µA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DIRECTFET™ MT |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3.8 mOhm @ 26A, 10V |
功率耗散(最大): | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | DirectFET™ Isometric MT |
其他名稱: | IRF6601TR |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造商零件編號: | IRF6601 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3440pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 45nC @ 4.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 20V 26A (Ta), 85A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
描述: | MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 26A (Ta), 85A (Tc) |
Email: | [email protected] |