IPI100N06S3-03 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IPI100N06S3-03

IPI100N06S3-03

簡單介紹

BYCHIPS是 IPI100N06S3-03的现货代理商，我們有庫存立即運輸，也可供長時間供應。請寄給我們您的IPI100N06S3-03購買計劃通過電子郵件，我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。

購買 IPI100N06S3-03與BYCHPS

購買即有保證

VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 230µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO262-3
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	3.3 mOhm @ 80A, 10V
功率耗散（最大）:	300W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
其他名稱:	IPI100N06S303X IPI100N06S303XK SP000087992
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IPI100N06S3-03
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	21620pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	480nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 55V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
漏極至源極電壓（Vdss）:	55V
描述:	MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:	100A (Tc)
Email:	[email protected]