IPI100N04S4H2AKSA1 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IPI100N04S4H2AKSA1

IPI100N04S4H2AKSA1

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 70µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO262-3
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	2.7 mOhm @ 100A, 10V
功率耗散（最大）:	115W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
其他名稱:	IPI100N04S4-H2 IPI100N04S4-H2-ND SP000711282
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	14 Weeks
製造商零件編號:	IPI100N04S4H2AKSA1
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	7180pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	90nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 40V 100A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
漏極至源極電壓（Vdss）:	40V
描述:	MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1
電流 - 25°C連續排水（Id）:	100A (Tc)
Email:	[email protected]