購買 IPD80R4K5P7ATMA1與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 200µA |
---|---|
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-252 |
系列: | CoolMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 450 mOhm @ 4.5A, 10V |
功率耗散(最大): | 13W (Tc) |
封装: | Original-Reel® |
封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | IPD80R4K5P7ATMA1DKR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
製造商標準交貨期: | 16 Weeks |
製造商零件編號: | IPD80R4K5P7ATMA1 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 80pF @ 500V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 4nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | Super Junction |
展開說明: | N-Channel 800V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Surface Mount TO-252 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 800V |
描述: | MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 1.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |