購買 IPD80R2K8CEATMA1與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 3.9V @ 120µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PG-TO252-3 |
系列: | CoolMOS™ CE |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V |
功率耗散(最大): | 42W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | SP001130970 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 6 Weeks |
製造商零件編號: | IPD80R2K8CEATMA1 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 290pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 800V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 800V |
描述: | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 1.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |