IPD80R2K8CEBTMA1
IPD80R2K8CEBTMA1
型號:
IPD80R2K8CEBTMA1
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
19199 Pieces
數據表:
IPD80R2K8CEBTMA1.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 IPD80R2K8CEBTMA1的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的IPD80R2K8CEBTMA1購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 IPD80R2K8CEBTMA1與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3.9V @ 120µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-252-3
系列:CoolMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
功率耗散(最大):42W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:IPD80R2K8CEBTMA1TR
SP001100602
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:IPD80R2K8CEBTMA1
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:290pF @ 100V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:12nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 800V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
漏極至源極電壓(Vdss):800V
描述:MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
電流 - 25°C連續排水(Id):1.9A (Tc)
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求