FQB9N08LTM
FQB9N08LTM
型號:
FQB9N08LTM
製造商:
Fairchild/ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
13122 Pieces
數據表:
FQB9N08LTM.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:D²PAK (TO-263AB)
系列:QFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:210 mOhm @ 4.65A, 10V
功率耗散(最大):3.75W (Ta), 40W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:FQB9N08LTM
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:280pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:6.1nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 80V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
漏極至源極電壓(Vdss):80V
描述:MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
電流 - 25°C連續排水(Id):9.3A (Tc)
Email:[email protected]

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