FQB9N50TM - Fairchild/ON Semiconductor - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 FQB9N50TM

FQB9N50TM

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	5V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	D²PAK (TO-263AB)
系列:	QFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	730 mOhm @ 4.5A, 10V
功率耗散（最大）:	3.13W (Ta), 147W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	FQB9N50TM
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1450pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	36nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 500V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
漏極至源極電壓（Vdss）:	500V
描述:	MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:	9A (Tc)
Email:	[email protected]