EPC8010ENGR - EPC - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 EPC8010ENGR

EPC8010ENGR

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 250µA
技術:	GaNFET (Gallium Nitride)
供應商設備封裝:	Die
系列:	eGaN®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	160 mOhm @ 500mA, 5V
功率耗散（最大）:	-
封装:	Tray
封裝/箱體:	-
其他名稱:	917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	EPC8010ENGR
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	55pF @ 50V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	0.48nC @ 5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
漏極至源極電壓（Vdss）:	100V
描述:	TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
電流 - 25°C連續排水（Id）:	2.7A (Ta)
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
EPC8010	EPC	TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE	在線詢價
EPC8007ENGR	EPC	TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE	在線詢價
EPC8005ENGR	EPC	TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE	在線詢價
AOL1412	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO	在線詢價
IRF610STRR	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK	在線詢價
2SK3746-1E	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 1500V 2A	在線詢價
NTD60N02R-35G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK	在線詢價
HUFA75329S3S	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK	在線詢價
EPC8002ENGR	EPC	TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE	在線詢價
EPC8004	EPC	TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE	在線詢價
NDD05N50ZT4G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 5A DPAK	在線詢價
EPC8009ENGR	EPC	TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE	在線詢價
IRF7807APBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC	在線詢價
EPC8008ENGR	EPC	TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE	在線詢價
EPC8009	EPC	TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE	在線詢價
EPC8003ENGR	EPC	TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE	在線詢價
EPC8002	EPC	TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE	在線詢價
EPC8004ENGR	EPC	TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE	在線詢價