購買 EPC8005ENGR與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
供應商設備封裝: | Die |
系列: | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 275 mOhm @ 500mA, 5V |
功率耗散(最大): | - |
封装: | Tray |
封裝/箱體: | Die |
其他名稱: | 917-EPC8005ENGR EPC8005ENGH |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | EPC8005ENGR |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 29pF @ 32.5V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 0.22nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die |
漏極至源極電壓(Vdss): | 65V |
描述: | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 2.9A (Ta) |
Email: | [email protected] |