購買 EPC8004ENGR與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 供應商設備封裝: | Die |
| 系列: | eGaN® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 125 mOhm @ 500mA, 5V |
| 功率耗散(最大): | - |
| 封装: | Tray |
| 封裝/箱體: | Die |
| 其他名稱: | 917-EPC8004ENGR EPC8004ENGA |
| 工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商零件編號: | EPC8004ENGR |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 45pF @ 20V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 0.36nC @ 5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 40V 4.4A (Ta) Surface Mount Die |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
| 描述: | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 4.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |