購買 UNR511NG0L與BYCHPS
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		| 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V | 
|---|---|
| Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 250mV @ 300µA, 10mA | 
| 晶體管類型: | PNP - Pre-Biased | 
| 供應商設備封裝: | SMini3-F2 | 
| 系列: | - | 
| 電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | 47k | 
| 電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 4.7k | 
| 功率 - 最大: | 150mW | 
| 封装: | Tape & Reel (TR) | 
| 封裝/箱體: | SC-85 | 
| 其他名稱: | UNR511NG0LTR | 
| 安裝類型: | Surface Mount | 
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) | 
| 製造商零件編號: | UNR511NG0L | 
| 頻率 - 轉換: | 80MHz | 
| 展開說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 | 
| 描述: | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 | 
| 直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 80 @ 5mA, 10V | 
| 電流 - 集電極截止(最大): | 500nA | 
| 電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA | 
| Email: | [email protected] |