購買 UNR5112G0L與BYCHPS
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電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 250mV @ 300µA, 10mA |
晶體管類型: | PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝: | SMini3-F2 |
系列: | - |
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | 22k |
電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 22k |
功率 - 最大: | 150mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SC-85 |
其他名稱: | UNR5112G0LTR |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | UNR5112G0L |
頻率 - 轉換: | 80MHz |
展開說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 |
描述: | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 60 @ 5mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大): | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
Email: | [email protected] |