STGWT60H65DFB - STMicroelectronics - 晶體管 - IGBT - 單 STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB

簡單介紹

BYCHIPS是 STGWT60H65DFB的现货代理商，我們有庫存立即運輸，也可供長時間供應。請寄給我們您的STGWT60H65DFB購買計劃通過電子郵件，我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。

購買 STGWT60H65DFB與BYCHPS

購買即有保證

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	650V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2V @ 15V, 60A
測試條件:	400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	51ns/160ns
開關能量:	1.09mJ (on), 626µJ (off)
供應商設備封裝:	TO-3P
系列:	-
反向恢復時間（trr）:	60ns
功率 - 最大:	375W
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-3P-3, SC-65-3
其他名稱:	497-14232-5
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	STGWT60H65DFB
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	Trench Field Stop
柵極電荷:	306nC
展開說明:	IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P
描述:	IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	240A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	80A
Email:	[email protected]