STGWT80H65DFB - STMicroelectronics - 晶體管 - IGBT - 單 STGWT80H65DFB

STGWT80H65DFB

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	650V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2V @ 15V, 80A
測試條件:	400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	84ns/280ns
開關能量:	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
供應商設備封裝:	TO-3P
系列:	-
反向恢復時間（trr）:	85ns
功率 - 最大:	469W
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-3P-3, SC-65-3
其他名稱:	497-14234-5
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	STGWT80H65DFB
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	Trench Field Stop
柵極電荷:	414nC
展開說明:	IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P
描述:	IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	240A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	120A
Email:	[email protected]