購買 SQJ968EP-T1_GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 250µA |
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供應商設備封裝: | PowerPAK® SO-8 Dual |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 33.6 mOhm @ 4.8A, 10V |
功率 - 最大: | 42W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | PowerPAK® SO-8 Dual |
其他名稱: | SQJ968EP-T1_GE3TR |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TA) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 18 Weeks |
製造商零件編號: | SQJ968EP-T1_GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 714pF @ 30V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 18.5nC @ 10V |
FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點: | Standard |
展開說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 23.5A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
描述: | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 23.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |