SQJ960EP-T1_GE3
SQJ960EP-T1_GE3
型號:
SQJ960EP-T1_GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 8A
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12980 Pieces
數據表:
SQJ960EP-T1_GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2.5V @ 250µA
供應商設備封裝:PowerPAK® SO-8 Dual
系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:36 mOhm @ 5.3A, 10V
功率 - 最大:34W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:PowerPAK® SO-8 Dual
其他名稱:SQJ960EP-T1-GE3
SQJ960EP-T1-GE3-ND
SQJ960EP-T1_GE3TR
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:18 Weeks
製造商零件編號:SQJ960EP-T1_GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:735pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:20nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET 2N-CH 60V 8A
電流 - 25°C連續排水(Id):8A
Email:[email protected]

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