購買 SQJ960EP-T1_GE3與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| 供應商設備封裝: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 36 mOhm @ 5.3A, 10V |
| 功率 - 最大: | 34W |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其他名稱: | SQJ960EP-T1-GE3 SQJ960EP-T1-GE3-ND SQJ960EP-T1_GE3TR |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 18 Weeks |
| 製造商零件編號: | SQJ960EP-T1_GE3 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 735pF @ 25V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 20nC @ 10V |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特點: | Logic Level Gate |
| 展開說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 60V 8A |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 8A |
| Email: | [email protected] |