SPB08P06PGATMA1
SPB08P06PGATMA1
型號:
SPB08P06PGATMA1
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12528 Pieces
數據表:
SPB08P06PGATMA1.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO263-2
系列:SIPMOS®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:300 mOhm @ 6.2A, 10V
功率耗散(最大):42W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:SP000102179
SPB08P06P G
SPB08P06P G-ND
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGINTR-ND
SPB08P06PGXT
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:14 Weeks
製造商零件編號:SPB08P06PGATMA1
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:420pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:13nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特點:-
展開說明:P-Channel 60V 8.8A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
電流 - 25°C連續排水(Id):8.8A (Ta)
Email:[email protected]

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