SIZ900DT-T1-GE3
SIZ900DT-T1-GE3
型號:
SIZ900DT-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
18112 Pieces
數據表:
SIZ900DT-T1-GE3.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 SIZ900DT-T1-GE3的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的SIZ900DT-T1-GE3購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 SIZ900DT-T1-GE3與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2.4V @ 250µA
供應商設備封裝:6-PowerPair™
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
功率 - 最大:48W, 100W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:6-PowerPair™
其他名稱:SIZ900DT-T1-GE3TR
SIZ900DTT1GE3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
製造商零件編號:SIZ900DT-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1830pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:45nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Half Bridge)
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
漏極至源極電壓(Vdss):30V
描述:MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
電流 - 25°C連續排水(Id):24A, 28A
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求