購買 SI8457DB-T1-E1與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 700mV @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±8V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 19 mOhm @ 3A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 4-UFBGA, FCBGA |
其他名稱: | SI8457DB-T1-E1TR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 24 Weeks |
製造商零件編號: | SI8457DB-T1-E1 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2900pF @ 6V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 93nC @ 8V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 12V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 1.8V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 12V |
描述: | MOSFET P-CH 12V MICROFOOT |
電流 - 25°C連續排水(Id): | - |
Email: | [email protected] |