購買 SI8405DB-T1-E1與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 950mV @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 4-Microfoot |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 55 mOhm @ 1A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 1.47W (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 4-XFBGA, CSPBGA |
其他名稱: | SI8405DB-T1-E1TR SI8405DBT1E1 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI8405DB-T1-E1 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 21nC @ 4.5V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 12V 3.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
漏極至源極電壓(Vdss): | 12V |
描述: | MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 3.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |