購買 SI3459BDV-T1-GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 3V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 6-TSOP |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 216 mOhm @ 2.2A, 10V |
功率耗散(最大): | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
其他名稱: | SI3459BDV-T1-GE3TR SI3459BDVT1GE3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 15 Weeks |
製造商零件編號: | SI3459BDV-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 350pF @ 30V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 60V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
描述: | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 2.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |