購買 SI3459BDV-T1-E3與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | 6-TSOP |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 216 mOhm @ 2.2A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 其他名稱: | SI3459BDV-T1-E3-ND SI3459BDV-T1-E3TR |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 15 Weeks |
| 製造商零件編號: | SI3459BDV-T1-E3 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 350pF @ 30V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 12nC @ 10V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | P-Channel 60V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 描述: | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 2.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |