購買 SCT2H12NZGC11與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 900µA |
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Vgs(最大): | +22V, -6V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝: | TO-3PFM |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
功率耗散(最大): | 35W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-3PFM, SC-93-3 |
工作溫度: | 175°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 18 Weeks |
製造商零件編號: | SCT2H12NZGC11 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 184pF @ 800V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 14nC @ 18V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 1700V (1.7kV) 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 18V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1700V (1.7kV) |
描述: | MOSFET N-CH 1700V 3.7A |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 3.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |