SCT2H12NYTB
型號:
SCT2H12NYTB
製造商:
LAPIS Semiconductor
描述:
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17087 Pieces
數據表:
SCT2H12NYTB.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 410µA
Vgs(最大):+22V, -6V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-268
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
功率耗散(最大):44W (Tc)
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
其他名稱:SCT2H12NYTBDKR
工作溫度:175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:15 Weeks
製造商零件編號:SCT2H12NYTB
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:184pF @ 800V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:14nC @ 18V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 1700V (1.7kV) 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):18V
漏極至源極電壓(Vdss):1700V (1.7kV)
描述:1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
電流 - 25°C連續排水(Id):4A (Tc)
Email:[email protected]

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