RN1906,LF
RN1906,LF
型號:
RN1906,LF
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
16855 Pieces
數據表:
RN1906,LF.pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:300mV @ 250µA, 5mA
晶體管類型:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:US6
系列:-
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆):47k
電阻 - 基(R 1)(歐姆):4.7k
功率 - 最大:200mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名稱:RN1906LFTR
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:RN1906,LF
頻率 - 轉換:250MHz
展開說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:80 @ 10mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):500nA
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA
Email:[email protected]

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