RN1903,LF(CT
RN1903,LF(CT
型號:
RN1903,LF(CT
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
16397 Pieces
數據表:
RN1903,LF(CT.pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:300mV @ 250µA, 5mA
晶體管類型:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:US6
系列:-
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆):22k
電阻 - 基(R 1)(歐姆):22k
功率 - 最大:200mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名稱:RN1903 (T5L,F,T)
RN1903(T5L,F,T)
RN1903(T5LFT)TR
RN1903(T5LFT)TR-ND
RN1903,LF(CB
RN1903LF(CTTR
RN1903T5LFT
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:10 Weeks
製造商零件編號:RN1903,LF(CT
頻率 - 轉換:250MHz
展開說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:70 @ 10mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):100nA (ICBO)
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA
Email:[email protected]

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