購買 PSMN102-200Y,115與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 1mA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | LFPAK56, Power-SO8 |
系列: | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 102 mOhm @ 12A, 10V |
功率耗散(最大): | 113W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SC-100, SOT-669 |
其他名稱: | 1727-5227-2 568-6544-2 568-6544-2-ND 934061323115 PSMN102-200Y T/R PSMN102-200Y T/R-ND PSMN102-200Y,115-ND PSMN102200Y115 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | PSMN102-200Y,115 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1568pF @ 30V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 30.7nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 200V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
描述: | MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 21.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |