購買 PSMN1R2-30YLDX與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.2V @ 1mA |
---|---|
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | LFPAK56, Power-SO8 |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 1.24 mOhm @ 25A, 10V |
功率耗散(最大): | 194W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SC-100, SOT-669 |
其他名稱: | 1727-1860-2 568-11556-2 568-11556-2-ND 934068235115 PSMN0R9-30YLD,115 PSMN1R2-30YLDX-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | PSMN1R2-30YLDX |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 4616pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 68nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 30V 100A (Tc) 194W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
描述: | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |